Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8416DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8416
SI8416DB-T2-E1 Hakkında
SI8416DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 8V Drain-Source voltajında 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6-UFBGA (Micro Foot) yüzeye monte paketlemesi ile kompakt uygulamalarda kullanılır. Maksimum 23mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 26nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, mobil cihazlar ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok