Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8416DB-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8416
SI8416DB-T1-GE3 Hakkında
SI8416DB-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 16A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6-UFBGA (6-microfoot) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (23mOhm @ 4.5V) sayesinde güç kayıplarını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri, DC-DC konverterler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Dikkat: Bu ürün yaşadı (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok