Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8410DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8410DB
SI8410DB-T2-E1 Hakkında
SI8410DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.8A sürekli dren akımına (Id) sahiptir. 37mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybında çalışır. 4-Micro Foot (1x1mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde, mobil cihazlarda ve IoT uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 16nC gate charge ile hızlı komutasyon özelliği sunar. 780mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Micro Foot (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok