Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8409DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8409DB
SI8409DB-T1-E1 Hakkında
SI8409DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 4.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4-XFBGA (Microfoot) SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 46mΩ drain-source direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı sağlar. ±12V gate voltajı kapasitesine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetiminde ve motor sürücülerinde kullanılır. Kompakt boyutu ve yüksek entegrasyon yoğunluğu nedeniyle mobil cihazlar, IoT ürünleri ve taşınabilir elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok