Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8407DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-MICRO FOOT®CSP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8407DB
SI8407DB-T2-E1 Hakkında
SI8407DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli drain akımı ile çalışabilir. RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 27mOhm'dur. 6-Micro Foot® CSP paketinde sunulan bu bileşen, kompakt boyutu sayesinde yüksek yoğunluklu uygulamalarda kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve portabl cihazlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-MICRO FOOT®CSP |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (2.4x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok