Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8405DB-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8405DB
SI8405DB-T1-E3 Hakkında
SI8405DB-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim ve 3.6A sürekli drain akımı ile çalışmaktadır. 4.5V gate geriliminde 55mOhm on-resistance değerine sahip bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4-Microfoot yüzey montaj paketinde sunulan SI8405DB, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Mobil cihazlar, taşınabilir elektronik ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Düşük gate charge (21nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama sürelerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok