Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8405DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8405
SI8405DB-T1-E1 Hakkında
SI8405DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3.6A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (55mΩ @ 1A, 4.5V) sağlayarak verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 4-Microfoot yüzey montaj paketinde sunulan cihaz, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 21nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özellikleri bulunan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve batarya yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok