Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8402
SI8402DB-T1-E1 Hakkında
SI8402DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 5.3A sürekli akım kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 37mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 4-XFBGA/CSPBGA yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 26nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı lojik seviye anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1V gate threshold voltajı ile TTL/CMOS uyumlu sürülmeye imkan tanır. Bileşen obsolete (kullanım dışı) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok