Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8401DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8401
SI8401DB-T1-E1 Hakkında
SI8401DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4-Microfoot (4-XFBGA) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 65mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Güç yönetimi, batarya şarj kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve düşük güçlü kayan kapı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok