Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7898DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7898DP
SI7898DP-T1-GE3 Hakkında
SI7898DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 85mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 21nC olup hızlı diyotlu devrelerde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok