Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7892BDP
SI7892BDP-T1-GE3 Hakkında
SI7892BDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ve 15A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4.2mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ortamlarda da kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3775 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok