Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7888DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7888DP
SI7888DP-T1-GE3 Hakkında
SI7888DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 9.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. 10mOhm RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 12.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok