Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7888DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7888DP
SI7888DP-T1-E3 Hakkında
SI7888DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 9.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10mOhm (Vgs=10V) ile belirtilen düşük gate-source direnci, anahtarlama uygulamalarında verimli güç iletimini sağlar. Gate yükü 10.5nC olarak ölçülmüştür. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 1.8W maksimum güç saçılımına sahiptir. Bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlanmış güç kaynakları ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. Volt Rds(on) değerleri 4.5V ve 10V sürücü voltajında belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 12.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok