Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7886ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7886ADP
SI7886ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7886ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4mΩ on-resistance (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlar için uygundur. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok