Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7884BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7884BDP
SI7884BDP-T1-E3 Hakkında
SI7884BDP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim ve 58A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 7.5mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Düşük gate charge ve kapasitans değerleri hızlı komutasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3540 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.6W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok