Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7882DP
SI7882DP-T1-GE3 Hakkında
SI7882DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajı ve 13A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü ve DC/DC konvertörlerde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Maksimum güç tüketimi 1.9W olup, 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlamayı destekler. Ürün durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 17A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok