Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7880ADP
SI7880ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7880ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 SMD paketinde sunulan bu transistör, 10V gate voltajda 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. DC motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlamalar ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 5.4W (Ta) maksimum güç yayılımı ile kompakt ve verimli tasarımlar uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok