Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7866ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7866ADP
SI7866ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7866ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ile 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.4mΩ (10V, 20A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemlerini sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve akım anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. Gate threshold voltajı 2.2V olup, ±20V maksimum gate-source voltajı özelliğine sahiptir. Bileşen obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5415 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok