Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7866ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7866ADP
SI7866ADP-T1-E3 Hakkında
SI7866ADP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 2.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 125nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, DC-DC konverterler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 5.4W (Ta) / 83W (Tc) güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Ürün durumu kullanım dışı (obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5415 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok