Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7862ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7862ADP
SI7862ADP-T1-E3 Hakkında
SI7862ADP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 16V drain-source gerilimi, 18A sürekli drain akımı ve 3mΩ (4.5V, 29A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığına sahiptir. İleri beslemeli DC/DC konvertörler, LED sürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 80nC (4.5V) olup hızlı anahtarlama gerektiren ve düşük enerji tüketiminin önemli olduğu sistemlerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7340 pF @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 29A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok