Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7860DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7860DP
SI7860DP-T1-GE3 Hakkında
SI7860DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 8mOhm tipik RDS(on) değerine sahiptir. 18nC gate charge ve 3V threshold voltaj karakteristikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve dijital lojik sürücü uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.8W güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygun bir çözüm sunmaktadır. Bileşen şu anda discontinued statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok