Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7860DP
SI7860DP-T1-E3 Hakkında
SI7860DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 8mΩ Rds(on) değeri ile minimal güç kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket formatında sunulur. Anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, motor sürücüler ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V gate sürüş gerilimlerinde karakterize edilmiştir. Ürün durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok