Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7860ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7860ADP
SI7860ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7860ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 11A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (9.5mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 4.5V ve 10V gate sürücü voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok