Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7858ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7858ADP
SI7858ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7858ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 12V drain-source voltajında 20A sürekli drenaj akımını destekler. Düşük 2.6mOhm on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. 4.5V gate voltajında optimal performans gösterir ve -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. İleri seviye kapı şarj özellikleri (80nC) hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Güç yönetimi, motor kontrolü, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 29A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok