Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7852DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7852DP
SI7852DP-T1-GE3 Hakkında
SI7852DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 paket tipi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sağlar. Düşük gate charge (41nC @ 10V) ve 16.5mOhm on-resistance değerleri verimli anahtarlama işlemi ve ısı dağıtımı kabiliyeti sunar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş ortam koşullarında güvenilir performans gösterir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol devreler, DC-DC konvertörler ve analog switch uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok