Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7850DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7850DP
SI7850DP-T1-E3 Hakkında
SI7850DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 22mOhm (10V, 10.3A) RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Ön-driver ve anahtarlama uygulamalarında, AC/DC güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 1.8W güç tüketebilir. 27nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok