Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7850ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7850ADP
SI7850ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI7850ADP-T1-GE3, 60V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistörüdür. 10.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 19.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (17nC) özellikleriyle anahtarlama hızını artırır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında, sürücü devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok