Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7848DP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7848DP
SI7848DP-T1-E3 Hakkında
SI7848DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 10.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mΩ (10V, 14A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellik gösterir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımına olanak tanır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve DC-DC regülatörler gibi endüstriyel elektronik devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum ±20V gate gerilimi ile entegre devreler tarafından sürülebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.83W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok