Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7846DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7846DP
SI7846DP-T1-E3 Hakkında
SI7846DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajı ve 4A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt devreler için uygundur. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtar devreler, güç kaynakları, motor denetim uygulamaları ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. 36nC gate charge sayesinde hızlı anahtarlama gerçekleştirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok