Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7840BDP
SI7840BDP-T1-E3 Hakkında
SI7840BDP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 8.5mΩ'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji verimliliği sağlar. 21nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristikler sunmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.8W güç tüketimi ile entegre devreler ve güç elektronik sistemlerinde sıklıkla tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok