Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7820DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7820DN
SI7820DN-T1-GE3 Hakkında
SI7820DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V kapı geriliminde 240mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük kapı yükü (18nC @ 10V) ve 1.5W maksimum güç dağılımı özelliği bulunur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve düşük-orta güç DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok