Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7818
SI7818DN-T1-E3 Hakkında
SI7818DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source geriliminde 2.2A sürekli akımı destekler ve 10V gate geriliminde 135mΩ maksimum on-dirençli değerine sahiptir. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketi ile sağlanan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 30nC gate yükü ve 4V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor denetleyicilerinde ve DC-DC dönüştürüclerde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok