Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7812DN-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7812DN
SI7812DN-T1-E3 Hakkında
SI7812DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ile 16A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 37mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük açılış direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok