Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7810DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7810DN
SI7810DN-T1-GE3 Hakkında
SI7810DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnç (Rds(on)) özellikleri sayesinde güç kaybını minimize eder. 62mOhm (10V, 5.4A) maksimum on-direnci ile verimli anahtar uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve maksimum 1.5W güç yayılımı özelliği ile DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok