Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7804DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7804DN
SI7804DN-T1-GE3 Hakkında
SI7804DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 6.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. 18.5mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile düşük ısıl direncini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve doğrultmaç uygulamalarında kullanılır. 1.5W maksimum güç tüketimi ve düşük gate charge karakteristiği ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok