Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7804DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK 1212-8
Seri / Aile Numarası
SI7804DN

SI7804DN-T1-E3 Hakkında

SI7804DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 18.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok