Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7802DN-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7802DN
SI7802DN-T1-E3 Hakkında
SI7802DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 1.24A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 6V ve 10V sürüş geriliminde 435mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, inverter kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlı güç kaynakları gibi endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 21nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.24A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 435mOhm @ 1.95A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok