Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7792DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7792DP
SI7792DP-T1-GE3 Hakkında
SI7792DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 60A maksimum drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) değeri olan 2.1mOhm ile verimli anahtar uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot içeren body özelliği, geri akım iletkenliğini iyileştirir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrolü, güç dağıtımı, DC-DC dönüştürücüler ve genel anahtar uygulamalarında tercih edilir. Notu: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4.735 nF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok