Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7790DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7790DP
SI7790DP-T1-GE3 Hakkında
SI7790DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı kasa ile tasarlanmıştır. 4.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 95nC gate charge ve 4200pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok