Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7784DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7784DP
SI7784DP-T1-GE3 Hakkında
SI7784DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 35A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmış olup, 10V gate voltajında 6mΩ on-direnci sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük ısıl dirençle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok