Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7772DP
SI7772DP-T1-GE3 Hakkında
SI7772DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 35.6A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 13mΩ maximum on-resistance değeri ile düşük güç kaybında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma kapasitesi bulunan bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V-10V gate sürücü gerilimi, 28nC gate charge ve 1084pF input capacitance özellikleri hızlı ve kontrollü anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1084 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok