Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7758DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7758DP
SI7758DP-T1-GE3 Hakkında
SI7758DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. ±20V gate voltaj toleransı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Düşük gate charge karakteristiği (160nC @ 10V) hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok