Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7738DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7738DP
SI7738DP-T1-GE3 Hakkında
SI7738DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 38mΩ maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SI7738DP, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 5.4W (Ta) ve 96W (Tc) maksimum güç tüketimi kapasitesi ile verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 7.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok