Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7703EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7703EDN
SI7703EDN-T1-GE3 Hakkında
SI7703EDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 48mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve izole Schottky diyodu özelliği ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik devrelerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok