Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7655DN
SI7655DN-T1-GE3 Hakkında
SI7655DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ile 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 3.6mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 225nC ve giriş kapasitansı 6600pF olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -50°C ile +150°C arasında çalışan SI7655DN, invertör devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 4.8W (Ta) ve 57W (Tc) maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok