Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7636DP
SI7636DP-T1-E3 Hakkında
SI7636DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 4mΩ maksimum açık durum direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. 50nC gate yükü ve 5600pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok