Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7635DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7635DP
SI7635DP-T1-GE3 Hakkında
SI7635DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 4.9mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±16V maksimum gate-source gerilimi, 143nC gate charge ve 4595pF input kapasitansı değerlerine sahiptir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4595 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok