Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7634BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7634BDP

SI7634BDP-T1-GE3 Hakkında

SI7634BDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 40A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.4mOhm on-resistance değeriyle düşük ısıl kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge 68nC @ 10V olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Elektrik güç dönüşüm devreleri, DC-DC konvertörler ve load switching uygulamalarında yaygın kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok