Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7621DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7621DN
SI7621DN-T1-GE3 Hakkında
SI7621DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 4A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (90mΩ @ 4.5V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç dağılımı Ta=25°C'de 3.1W, Tc=25°C'de 12.5W'dur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve portable elektronik cihazlarda yer alır. Düşük gate charge (6.2nC) hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok