Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7620DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7620DN
SI7620DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI7620DN-T1-GE3, 150V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 13A sürekli drain akımı kapasitesi ve 126mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılan yüksek verimli bir anahtarlama elemanıdır. PowerPAK® 1212-8 kompakt yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve düşük kapı yükü (15nC @ 10V) özelliği hızlı komütasyon gerektiren devrelerde kullanılmaya uygundur. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 5.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok